FG-FET Berbasis Film Ag2O Untuk Pendeteksian H2S

https://doi.org/10.5614/joki.2011.3.2.3

Penulis

  • W Widanarto
  • Bilalodin Bilalodin
  • R. A. Saputro

Abstrak

 telah ditumbuhkan pada top electrode Si/Ti/Pt dengan evaporasi termal. Proses evaporasi dilakukan pada tekanan 2×10-2 mbar dalam atmosfir oksigen sintetis. SEM digunakan untuk menganalisa struktur permukaan film. Top electrode dilekatkan pada chip FG-FET untuk membentuk sebuah sensor gas yang sensitif terhadap H2S. Karakterisasi yang meliputi uji temperatur, konsentrasi, kelembaban dan selektivitas dilakukan untuk mengetahui kehandalan sensor. Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa FG-FET berbasis film Ag2O dapat mendeteksi H2S pada konsentrasi rendah dengan temperatur operasi optimum 95°C dalam keadaan kering maupun lembab. Penambahan klaster Fe pada permukaan film Ag2O dapat meningkatkan unjuk kerja sensor yang ditandai dengan peningkatan sinyal keluaran sensor.

 

Keywords:FG-FET, Film Ag2O, Fe,Fungsi Kerja, H2S

Diterbitkan

2012-04-11

Cara Mengutip

[1]
W. Widanarto, B. Bilalodin, dan R. A. Saputro, “FG-FET Berbasis Film Ag2O Untuk Pendeteksian H2S”, JOKI, vol. 3, no. 2, hlm. 87, Apr 2012.

Terbitan

Vol 3 No 2 (2011): Jurnal Otomasi Kontrol dan Instrumentasi

Bagian

Articles
Copyright & Licensing

Penulis yang menerbitkan di Jurnal Otomasi Kontrol dan Instrumentasi menyetujui persyaratan berikut:

  • Penulis mempertahankan hak cipta dan memberikan jurnal hak publikasi pertama dari karya secara bersamaan berlisensi di bawah Lisensi Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 yang memungkinkan pihak lain untuk berbagi karya dengan menyatakan pengakuan atas kepengarangan karya dan publikasi yang berasal dari jurnal ini
  • Penulis dapat membuat pengaturan kontrak tambahan yang terpisah untuk distribusi non-eksklusif dari versi karya jurnal yang diterbitkan (misalnya, menyimpan ke repositori institusional atau menerbitkannya dalam sebuah buku) dengan menyatakan pengakuan terhadap publikasi yang berasal dari jurnal ini.