FG-FET Berbasis Film Ag2O Untuk Pendeteksian H2S

https://doi.org/10.5614/joki.2011.3.2.3

Authors

  • W Widanarto
  • Bilalodin Bilalodin
  • R. A. Saputro

Abstract

 telah ditumbuhkan pada top electrode Si/Ti/Pt dengan evaporasi termal. Proses evaporasi dilakukan pada tekanan 2×10-2 mbar dalam atmosfir oksigen sintetis. SEM digunakan untuk menganalisa struktur permukaan film. Top electrode dilekatkan pada chip FG-FET untuk membentuk sebuah sensor gas yang sensitif terhadap H2S. Karakterisasi yang meliputi uji temperatur, konsentrasi, kelembaban dan selektivitas dilakukan untuk mengetahui kehandalan sensor. Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa FG-FET berbasis film Ag2O dapat mendeteksi H2S pada konsentrasi rendah dengan temperatur operasi optimum 95°C dalam keadaan kering maupun lembab. Penambahan klaster Fe pada permukaan film Ag2O dapat meningkatkan unjuk kerja sensor yang ditandai dengan peningkatan sinyal keluaran sensor.

 

Keywords:FG-FET, Film Ag2O, Fe,Fungsi Kerja, H2S

Published

2012-04-11

How to Cite

[1]
W. Widanarto, B. Bilalodin, and R. A. Saputro, “FG-FET Berbasis Film Ag2O Untuk Pendeteksian H2S”, JOKI, vol. 3, no. 2, p. 87, Apr. 2012.

Issue

Vol. 3 No. 2 (2011): Jurnal Otomasi, Kontrol, dan Instrumentasi

Section

Articles
Copyright & Licensing

An author who publishes in the Jurnal Otomasi Kontrol dan Instrumentasi agrees to the following terms:

  • The author retains the copyright and grants the journal the right of first publication of the work simultaneously licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 License that allows others to share the work with an acknowledgment of the work's authorship and initial publication in this journal
  • Author can enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book) with the acknowledgement of its initial publication in this journal.